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富士模塊發售憑借低損耗性能助力生產設備節能的“X系列IGBT-IPM”
2021/11/15 21:16:00
富士模塊發售憑借低損耗性能助力生產設備節能的“X系列IGBT-IPM”

 富士電機株式會社(代表取締役社長:北澤通宏;總公司:東京都品川區)現發售功率半導體產品“X系列IGBT-IPM1,此款產品搭載最新第7代“X系列”芯片,損耗大幅降低,特發此通知。

1Insulated Gate Bipolar TransistorIGBTIntelligent Power Module(IPM


1.背景

    制造業企業不斷引進有助于實現生產現場自動化的數控機床和機器人來提高生產力,在全球變暖的背景下,如何使生產設備更加節能已經成為制造業企業面臨的課題。

    作為一款功率半導體產品,IGBT模塊是一種通過開關(斷電和通電)改變電壓和頻率并對交流電、直流電等進行電力轉換的電子零部件。IGBT-IPM是一種具有自我保護功能的IGBT模塊,能夠防止因過電流、過熱等引起的故障,因此在需要高度可靠的數控機床和工業機器人等設備中得到了廣泛應用。

    本公司此次發售了搭載最新第7代“X系列”芯片的“X系列IGBT-IPM”,并將憑借行業頂級的低損耗性能助力生產設備節能。新產品將于12月投入量產,將以自動化發達的日本國內和中國為中心向全球市場推廣。


2.產品特點

①憑借低損耗性能實現生產設備節能

    本產品搭載了最新的第7IGBT芯片,該芯片相對第6IGBT芯片進行了厚度減薄和表面結構微化等改進,擁有較高的低損耗性能。此外,常規功率半導體的開關速度會隨著工作溫度升高而變慢,從而使得損耗增大。但新產品通過控制驅動IGBTIC,能夠在高溫條件下保持開關速度,從而降低了損耗。

    與老款產品(V系列IGBT-IPM)相比,本產品在變頻器工作時的損耗降低了約10%,此外,通過抑制損耗引起的發熱,能使得設置面積相對老款產品實現最大54%的小型化,從而有助于生產設備的節能和小型化。


②領先行業搭載溫度警示輸出功能,有助于設備穩定運行

    IGBT-IPM搭載了IGBT芯片過熱保護功能。本產品在IGBT芯片溫度超過175℃時,IGBT-IPM就會向設備的控制裝置(控制器等)發出報警信號,與此同時,停止開關動作,從而將IGBT-IPM的故障防范于未然。

    此外,本產品還領先行業搭載了“溫度警示輸出功能”,一旦IGBT芯片溫度超過150℃就會發出報警信號。從IGBT芯片發出報警信號到觸發過熱保護的175℃期間,開關動作可以持續,因此操作人員能夠通過設備的控制裝置在任意時點關停生產設備進行維修。這樣可避免生產設備突然停機,有助于設備的穩定運行。

 

3.主要用途

    數控機床、通用伺服器、工業機器人、商用空調、電梯等


4主要規格


  額定電壓(V)

  額定電流(A)

  尺寸(mm)

  發售時間
650V 20A、30A 36×70×12 202012
1200V 10A 202012
650V 50A、75A 49.5×70×12 202012
1200V 25A、35A 202012
650V 50A、75A、100A 50.2×87×12 20212
起陸續發售
1200V  25A、35A、50A 
650V 50A-150A 55×90×22
1200V 25A-75A
650V 50A-250A 84×128.5×14
1200V 25A-150A
650V 200A-450A 110×142×27
1200V 100A-300A


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